Foto del investigador

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE SINALOA

CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS

Formación Académica

Doctorado

Fisica

University of California at Santa Barbara

Maestría

Fisica

CINVESTAV-IPN

Licenciatura

Fisica

Universidad Autónoma de Sinaloa


Idiomas

Ingles

Nivel conservacional: Alto

Nivel de lectura: Alto

Nivel de escritura: Alto


Cristo Manuel Yee Rendon

FISICA

Licenciado en Física por la Universidad Autónoma de Sinaloa, Maestro en Ciencias en Física CINVESTAV-IPN, Doctor en Física por la Universidad de California en Santa Barbara. Presidente de la Sociedad Mexicana de Ciencias y Superficies de Materiales para el periodo 2023-2024. Es miembro del Sistema Nacional de Investigadores SNI Nivel II, Lider del cuerpo académico UAS-CA-290 - Materiales: Síntesis Y Análisis De Sus Propiedades Ópticas Y Electrónicas. Ha dirigido 27 tesis de Licenciatura, Maestría y Doctorado. Coordinador del posgrado en Física de la UAS del 2022 a la fecha y Coordinador de la Licenciatura en Física del 2015 al 2022. Miembro del Sistema Sinaloense de Investigadores y Tecnólogos. Su especialidad es espectroscopia UV-VIS-NIR Y sistema semiconductores y nanoestructurados y se encuentra incursionando en la aplicación de técnica de espectroscopia óptica para aplicaciones en agricultura y sistemas biológicos. Es responsable técnico del laboratorio de Óptica y Materiales, tiene implementadas diversas técnicas de espectroscopia reflectancia, transmitancia, reflectancia difusa, reflectancia modulada y polarimetría, Fotoacústica-f, fotoacústica-l. Tiene trabajos de colaboraciones activas con UASLP CINVESTAV-IPN, UPPITA-IPN, CIMAV, ZACATECAS, UNISON y la UDG. En donde ha participado tanto como responsable técnico como colaborador en diversos proyectos de ciencia básica.

  • Área de conocimiento: Físico-Matemáticas y Ciencias de la Tierra
  • Grado: Licenciatura
  • Institución: Universidad Autónoma de Sinaloa
  • Correo: cristo@uas.edu.mx

Producción Científica y Artículos de Divulgación

Artículos
BAND STRUCTURE AND STRAIN DISTRIBUTION OF INAS QUANTUM DOTS ENCAPSULATED IN (AL)GAAS ASYMMETRIC MATRIXES
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A

Coautor
31-12-2023
OPTICAL ANALYSIS OF TIN-DOPED GANAS LAYERS GROWN ON GAAS BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE: MATERIALS IN ELECTRONICS

Coautor
31-12-2023
CONTROL METHOD FOR PERIODICALLY FACETED SURFACES AND APPLICATION ON ALGAAS/GAAS (6 3 1) HETEROSTRUCTURES
APPLIED SURFACE SCIENCE

Coautor
31-12-2023
STRAIN AND ANNEALING TEMPERATURE EFFECTS ON THE OPTICAL PROPERTIES OF GANAS LAYERS GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
THIN SOLID FILMS

Coautor
31-12-2022
IN-SITU STUDY OF INAS QUANTUM DOTS ENCAPSULATED IN ASYMMETRIC (AL)GAAS CONFINEMENT BARRIERS
REVISTA MEXICANA DE FISICA

Coautor
31-12-2022

Registrate para acceder a más contenido

Crear cuenta